AI存储困局：良率天花板为何卡住了HBM供给？

根据TrendForce集邦咨询的最新研究，AI服务器的需求持续增长，HBM和Conventional DRAM仍在争夺有限的先进制程与晶圆产能，加之新产品的良率和产出提升需要时间，预计到2027年，存储器供应将持续紧张。

在整体存储器价格维持上涨趋势的背景下，供应商对2027年HBM涨价的立场也更加明确，这反映了整体供应持续紧张，以及高价HBM4占比上升、HBM4e在2027年下半年逐步放量带来的影响。

TrendForce集邦咨询上调了明年HBM的价格预期，预估Blended ASP年增幅将达到121%。

过去一年，市场对HBM缺货的解释几乎形成了条件反射：先进晶圆产能不足，三星、SK海力士、美光将产能转向HBM，普通DRAM受到挤压，DRAM各品类合约价持续上涨；NAND虽不直接消耗HBM产能，但也因原厂减产而跟涨。

这个说法并不完全错误，但它只讲述了故事的一部分。

另一部分隐藏在晶圆之后，一颗HBM并非简单地将DRAM裸片切割出来就能销售，它需要经过TSV硅通孔刻蚀、多层裸片堆叠、微凸点键合以及多次测试。晶圆投入只是起点，最终有多少比例能成为交付给英伟达、谷歌、微软等GPU厂商和自研芯片云厂商的合格品，取决于良率曲线。

而这条曲线，恰恰是2027年所有价格预测中最不确定的变量。

晶圆是第一道关，良率是第二道

HBM和普通DRAM共享先进制程产能，但两者的晶圆效率完全不在同一水平。行业中有一个“裸片惩罚”的说法：生产相同容量的HBM，消耗的先进制程晶圆大约是普通DRAM的3到4倍——一颗HBM裸片占用的晶圆面积，大致能制造3GB DDR5。

也就是说，厂商每将一片先进晶圆分配给HBM，损失的普通DRAM产能远不止一片。

摩根大通（JPM）的数据显示，2025年至2028年，DRAM新增产能中有58%将用于HBM制造；HBM占DRAM总产能的比例将从19%提升至31%。

三星电子执行副总裁Kim Taewoo也表示，预计明年HBM将占DRAM厂商晶圆总产能的近30%，目前这一比例约为20%；他还强调，HBM与传统DRAM争夺同一批晶圆产能，扩大HBM产出可能挤压传统DRAM供应。

普通DRAM制造已经高度成熟，晶圆裸片良率普遍在90%以上，而HBM需要将8层、12层甚至16层裸片垂直堆叠，即便堆叠前经过KGD良品裸片筛选，只要堆叠后任意一层出现缺陷，整颗产品都可能报废。

根据TrendForce数据，当前HBM的良率仅为50%-60%。

这意味着，在厂商投入同等规模先进晶圆的前提下，如果新一代HBM的堆叠良率未能同步提升，最终交付的合格成品很难实现同比例增长。晶圆投料和产线运转只是供给的起点，一旦成品良率卡在低位，有效供给的释放就会受到限制。

韩国半导体产业协会（KSIA）常务董事Ahn Ki-hyun表示：“HBM往往每推出一代新品，良率就会下降。HBM4售价约为上一代的两倍，因此随着存储厂商提高产量，DRAM消耗量上升，出口总量反而萎缩。”

集邦咨询最新研究显示，AI服务器需求持续扩张，HBM与Conventional DRAM仍在争夺有限的先进制程及晶圆产能，加上新一代产品的良率和产出提升仍需时间，预计2027年存储器供应将持续紧张。

SK海力士、三星、美光三家公司都在这一年将HBM4推向量产，并陆续通过英伟达新一代平台的验证。不过，HBM4更多是2026年的主力产品，2027年供给格局最大的不确定性来自下半年才会逐步放量的HBM4e。

7月29日，SK海力士在2026年二季度业绩电话会上披露了第六代高带宽内存（HBM4）的量产进展：HBM4当前的量产良率与产品品质，已接近上一代成熟产品HBM3E的水平。

公司表示，HBM4已于今年二季度启动对核心客户的批量供货，目前正稳步推进产能爬坡，持续扩充稳定供给产能。

而据韩媒The Elec最新报道，美光第六代高带宽内存（HBM4）的产能扩充正在顺利推进，量产爬坡速度创下公司历史新高。

与此同时，美光正式披露了下一代HBM4E产品的战略布局，宣布调整生产策略，携手晶圆代工龙头台积电（TSMC），计划在2027年启动大规模量产，全面加速在AI高端存储市场的突围。

据集邦咨询调研，由于HBM4e的验证时间线仍存在不确定性，英伟达自2026年第三季度以来一直在重新评估Rubin Ultra的HBM配置。项目最初基准方案是12层堆叠（12hi）的HBM4e，而当前英伟达正在并行评估多套备选设计：HBM4e 8hi、HBM4 12hi以及HBM4 8hi，Rubin Ultra最终采用哪一套规格仍未确定。

良率如何变成价格？

理解了良率约束的底层逻辑，再回头看集邦给出的121%这个数字，就能发现它远不是简单的“涨价一倍多”。

按照集邦的解读，Blended ASP大幅上行由三重因素共同驱动：整体供应持续紧张、高价HBM4出货占比提升以及HBM4e将在2027年下半年逐步放量。

换句话说，Blended ASP上涨由两类因素共同推动：一部分来自产品结构变迁，高价新品出货占比提升，拉高整体均价；另一部分才是同规格产品本身报价上行。

而新品占比能提升多少，最终依然绕不开堆叠良率这道关卡。

一方面，如果HBM4e良率爬坡慢于预期，市场供给将继续由高价HBM4主导，从产品结构层面推高混合均价。

另一方面，即便HBM4e启动出货，受限于初期良率，交付规模有限，HBM4e单品报价大概率也会维持高位。

两种情景最终都会指向同一个结果：2027年HBM混合均价保持上行，只是涨价背后的产品组合会有所区别。

这就引出一个容易被忽略的悖论：高价不等于高销量。

如果良率持续约束出货规模，存储厂商财报上的ASP涨幅或许会十分亮眼，但bit出货量以及最终营收兑现有可能不及市场乐观预期。落到资本市场，这一预期错位就是潜在的预期差。

头部云厂商与AI芯片巨头通过长期供货协议（LTA）锁定产能配额，拿到的大多是经过充分验证且良率表现更稳定的供给。而中小服务器厂商和二线AI企业，要么需要在现货市场承担更高溢价，要么只能争取优先级更低或良率波动风险更大的批次，交付周期也更难确定。

长单协议锁定的是专属晶圆产能配额，而最终交到客户手中的合格HBM颗数，很大程度由良率决定。

混合键合被视作下一代HBM提升堆叠密度和优化互连性能的关键技术。但从公开进展来看，面向HBM的混合键合方案目前仍处在样品与小批量工程验证阶段，良率控制、高昂设备成本、薄晶圆处理等环节仍存在不少挑战。

SK海力士等厂商正在评估英特尔EMIB硅桥方案，试图依靠更灵活的封装设计降低成本和改善良率；同时自研集成散热结构的iHBM方案，应对高堆叠带来的散热压力。这些技术方向有助于长期改善供给约束，但都并非能在2027年瞬间填平良率缺口的银弹。

海外三巨头早已实现HBM3量产，并且部分完成HBM4的量产验证，而国内企业的HBM3仍处在产能爬坡与客户验证阶段。从包含晶圆工艺、TSV堆叠、良率控制与下游平台验证的整套产业能力来看，行业评估双方存在约两代的综合差距。

全球供给紧张确实打开了国产厂商的市场窗口，但窗口背后存在现实约束：堆叠良率、TSV工艺、薄晶圆处理这整套工艺know-how，需要多轮试产持续沉淀，并非单纯砸钱采购设备就能在短期内补齐。

别把周期当成消失

市场中有一种乐观叙事：AI带来的是结构性需求，HBM供不应求的局面会持续到2028年甚至更久，存储行业传统的强周期规律或将被改写。

这一说法有机构数据作为支撑：据Semi中国数据预计，2026年全球HBM市场规模将增长58%至546亿美元。高盛5月31日发布研究观点预计，到2027年，传统DRAM、NAND和HBM的供需状况都将较2026年更为紧张，且这种紧张态势将持续至2028年。

但如果把镜头拉回良率这一核心变量，不难发现周期并未消失，只是换了一种表现形式。

第一种风险来自良率超预期反转。倘若某家头部厂商在2027年上半年将HBM4e良率快速拉至成熟水平，带来有效供给集中释放，市场当前提前计价的涨价预期或将快速回调。对下游客户而言，此前锁定在高位的长单会形成相对显著的成本压力。

第二种风险是高价对需求形成反噬。当HBM混合ASP 121%的涨幅传导至AI服务器整机成本，下游市场要么接受更高的算力采购价格，要么压缩非核心训练任务和推迟资本开支。受冲击更大的是边际弹性较强的算力需求，而非头部厂商的核心算力刚需。

第三种风险来自代际判断失误。倘若HBM4e受良率约束出现延期，客户或将转向8-Hi方案或是优化版HBM4。这意味着原本给到HBM4e的产能规划与市场预期会被重新分配，整条供应链的排产节奏也需要随之调整。

过去一年，舆论将过多注意力集中在晶圆够不够这个问题上，仿佛只要建厂速度跟上，供给难题就能迎刃而解。但HBM独特的制造逻辑决定，先进晶圆划定的只是产能理论上限，良率才决定最终可以交付的有效供给。

2027年下半年HBM4e的放量曲线，大概率不会是一条平滑上升的直线，而是充满变数的爬坡曲线。

本文来自微信公众号“硅碳变量”，作者：胡一刀，36氪经授权发布。